ALD前驅體

半導體、能源、光學

ALD前驅體簡介

在晶圓上制造芯片需要經過上百個工序,主要的工藝步驟包括光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等往復循環。薄膜沉積工藝中ALD技術即原子層沉積(AtomicLayerDeposition)是精細制程、深溝槽和立體結構中必選的工藝。ALD所需的前驅體多為MO源(金屬有機源)產品,一般要求純度達到99.9999%以上,雜質濃度達ppb級別以內,工藝復雜,需要超高的金屬有機合成和高純度提純的能力,代表著行業最高科研能力。

ALD應用

ALD在能源領域應用

2009年,Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層,正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優勢,在光伏領域中發揮著重要作用。除此之外,ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層,提高電池性能。

鈣鈦礦電池

應用:電子傳輸層、鈍化保護層

優勢:低溫工藝、均勻成膜性、臺階覆蓋率好

作用:阻隔鈣鈦礦與電極擴散、阻隔空氣、傳輸電子

鋰電池

應用:電極涂層

優勢:保形性、無孔隙、精準控制厚度

作用:延長鋰離子電池壽命、提高產品安全性

ALD在泛半導體應用

隨著泛半導體行業的發展,對微型化和集成化要求越來越高,尺寸縮小至亞微米和納米量級,ALD作為一種高精度薄膜沉積技術,可用于晶體管柵極電介質層(高K材料)、金屬柵電極、有機發光顯示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領域。

ALD在光學領域應用

由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點,已成功應用于高質量光學薄膜、增透膜、折射率可調的光學薄膜、波狀多層膜,改善了光子晶體的光學性質和可控性,增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。

公司研發生產能力

在半導體領域,公司主要致力于高純半導體薄膜 (ALD、CVD)前驅體材料的自主研發和生產,成立以來,已陸續向多家半導體客戶提供了百余種前驅體新材料,包括高純硅基前驅體系列、High-k前驅體系列等產品,部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜制備。 公司致力為客戶提供優質的產品并建立互信、長久的合作關系,產品具有自主知識產權且原材料國產化,打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。敦茂新材料愿與國內芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手,解決高端半導體材料的卡脖子難題,早日實現進口替代。

產品索引

前驅體用途索引

SiN層 高介電常數前驅體(High-K) 低介電常數前驅體(Low-k) 銅互連層 鈣鈦礦光伏電池
DIS TDMAH BDEAS CCTBA TDMASn
TEMAH BTBAS PDMAT PbI2
TDMAT 3DMAS PbBr2
TDMAZ
TEMAZ
Cp-Zr
Cp-Hf

前驅體元素索引

硅 Si 鉿 Hf 鋯 Zr 鈦 Ti 鈷 Co 鉭 Ta 釕 Ru
DIS TDMAH TDMAZ TDMAT CCTBA PDMAT Ru(EtCp)2
BDEAS TEMAH TEMAZ
BTBAS Cp-Hf Cp-Zr