ALD簡介
原子層沉(chen)積技術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納米(mi)尺度上進行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。
ALD應用(yong)
ALD在能源領域應用
2009年,Miyaska課題組將(jiang)鈣(gai)鈦礦材料(liao)MAPbI3用作(zuo)燃料(liao)敏化(hua)太(tai)陽(yang)能電池(chi)的光伏活性層,正式(shi)開啟了(le)鈣(gai)鈦礦太(tai)陽(yang)能電池(chi)的新紀元。ALD憑借(jie)其均勻成膜性、精準控制厚度和(he)保形性等多種(zhong)優勢,在光伏領域中發揮(hui)著重(zhong)要作(zuo)用。除此之外,ALD技術還可用于(yu)鋰電池(chi)薄膜涂層,提高(gao)電池(chi)性能。
ALD在泛半(ban)導體(ti)應(ying)用
隨著泛半導體行業的發展,對微型化(hua)和集(ji)成化(hua)要求越(yue)來越(yue)高(gao),尺寸縮小至亞微米和納米量級,ALD作為一種高(gao)精(jing)度薄膜沉(chen)積技術,可用于晶(jing)體(ti)管柵極電介質層(高(gao)K材料)、金屬柵電極、有(you)機發光(guang)顯示器涂層、銅互聯擴(kuo)散(san)阻(zu)擋層、DRAM電介質層、微流(liu)體(ti)和MEMS涂層、傳感(gan)器等眾多領域。
ALD在光(guang)學(xue)領域應用
由(you)于 ALD 具有的(de)三維共(gong)形沉積(ji)和大(da)面積(ji)均勻性特點,已成功應(ying)用(yong)于(yu)高質(zhi)量光(guang)(guang)(guang)學薄(bo)膜、增透(tou)膜、折射率可調的(de)光(guang)(guang)(guang)學薄(bo)膜、波狀多層(ceng)膜,改善(shan)了(le)光(guang)(guang)(guang)子(zi)晶體的(de)光(guang)(guang)(guang)學性質(zhi)和可控性,增加了(le)光(guang)(guang)(guang)子(zi)晶體在未來(lai)光(guang)(guang)(guang)學器件中的(de)應(ying)用(yong)潛力。
公司致力于ALD高純半導體(ti)薄(bo)膜(mo)前(qian)驅體(ti)材料(liao)(liao)的(de)自主(zhu)研發和生產(chan)(chan),成立以來,已(yi)陸(lu)續向多家(jia)半導體(ti)客(ke)戶(hu)(hu)(hu)提供了百余種前(qian)驅體(ti)新(xin)材料(liao)(liao),包括高純硅(gui)基(ji)前(qian)驅體(ti)系列(lie)(lie)、High-k前(qian)驅體(ti)系列(lie)(lie)產(chan)(chan)品(pin)(pin),部分新(xin)品(pin)(pin)已(yi)被客(ke)戶(hu)(hu)(hu)用于5nm以下(xia)制程薄(bo)膜(mo)設(she)備。我們(men)致力為客(ke)戶(hu)(hu)(hu)提供優質(zhi)的(de)產(chan)(chan)品(pin)(pin)并建立互信、長久的(de)合作(zuo)關系,產(chan)(chan)品(pin)(pin)具有(you)自主(zhu)知識產(chan)(chan)權且原材料(liao)(liao)國產(chan)(chan)化,打破國外壟(long)斷(duan)的(de)同時(shi)保證供應鏈(lian)的(de)安全(quan)。研峰科技(ji)愿與國內(nei)芯(xin)片、高端(duan)顯示、光伏新(xin)能源等高端(duan)客(ke)戶(hu)(hu)(hu)一(yi)起攜手,解(jie)決高端(duan)半導體(ti)材料(liao)(liao)的(de)把脖子難題,早日實現進口替代。
Chemical Name | Tungsten hexacarbonyl |
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PubChem Substance ID | 24854483 |
EC Number | 237-880-2 |
Synonym | Tungsten carbonyl (W(CO)6), (OC-6-11)- Tungsten carbonyl (W(CO)6) Tungstencarbonyl,99%(99.9+%-W)sublimed Tungstenhexacarbonyl Tungstencarbonyl(W(CO)6),(OC-6-11)- Tungsten hexacarbonyl, sublimed, 99.9+% metals basis Tungstene hexacarbonyl NSC 173699 tungstenehexacarbonyl (OC-6-11)-Tungstencarbonyl Wolframhexacarbonyl TUNGSTEN CARBONYL Tungsten carbonyl (oc-6-11)-tungstencarbonyl(w(co)6 Tungstencarbonyl(W(CO)6) W(CO)6 Hexacarbonyl wolfram Tungsten carbonyl 99% Hexacarbonylwolfram TUNGSTEN CARBONYL 99% (<0.3%-MO) Tungstencarbonyl,99%(<0.1%-Mo) Tungsten hexacarbonyl Hexacarbonyltungsten (0) Tungsten carbonyl Tungstenhexacarbonyl 六羰基鎢 Hexacarbonyltungsten 六羰基鎢 HEXACARBONYLTUNGSTEN Hexacarbonyltungsten (0) |
Chemical Name Translation | 六羰基鎢 |
InChIKey | FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N |
LabNetwork Molecule ID | LN02003227 |
MDL Number | MFCD00011462 |
CAS Number | 14040-11-0 |
WGK Germany | 3 |
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Hazard Codes | T |
Hazard statements | |
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Personal Protective Equipment | Eyeshields, Gloves, type N95 (US), type P1 (EN143) respirator filter |
Precautionary statements | |
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Signal word | Danger |
RTECS | YO7705000 |
Safety Statements | |
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UN Number | UN3466 |
Risk Statements | |
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Packing Group | III |
Hazard Class | 6.1 |
Restrict | - |
*以上化合物性質(zhi)及應(ying)用(yong)等信息僅供(gong)參(can)考(kao)