ALD簡介(jie)
原子層(ceng)沉積技(ji)術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納米尺(chi)度上(shang)進行薄膜(mo)沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。
ALD應用
ALD在(zai)能源領域(yu)應用
2009年(nian),Miyaska課題組將鈣鈦(tai)礦材料(liao)MAPbI3用作燃料(liao)敏(min)化(hua)太(tai)陽(yang)能電池的(de)光(guang)伏(fu)活性層(ceng),正式(shi)開啟了鈣鈦(tai)礦太(tai)陽(yang)能電池的(de)新紀元。ALD憑(ping)借其均勻成(cheng)膜(mo)性、精(jing)準控制厚度和(he)保形性等(deng)多(duo)種(zhong)優勢,在(zai)光(guang)伏(fu)領域中發(fa)揮著重要作用。除此之外,ALD技術(shu)還可用于(yu)鋰電池薄(bo)膜(mo)涂層(ceng),提高電池性能。
ALD在泛(fan)半(ban)導體(ti)應用
隨著泛半導體行業的發展,對微型化(hua)和集成化(hua)要求越(yue)來越(yue)高,尺寸縮(suo)小(xiao)至亞微米和納米量級,ALD作為(wei)一種(zhong)高精(jing)度(du)薄膜(mo)沉積(ji)技術,可用于(yu)晶體管柵極(ji)電介質層(高K材料)、金屬柵電極(ji)、有機發光(guang)顯(xian)示器(qi)涂層、銅(tong)互聯擴(kuo)散阻擋層、DRAM電介質層、微流(liu)體和MEMS涂層、傳感器(qi)等(deng)眾多(duo)領(ling)域(yu)。
ALD在光學領域應用(yong)
由(you)于(yu) ALD 具有的(de)三維共形沉積(ji)和大面積(ji)均勻性(xing)特點,已成功應用于高質(zhi)(zhi)量光(guang)(guang)學薄膜、增透膜、折射率可調的(de)光(guang)(guang)學薄膜、波狀多層膜,改善了光(guang)(guang)子晶(jing)體的(de)光(guang)(guang)學性(xing)質(zhi)(zhi)和可控性(xing),增加了光(guang)(guang)子晶(jing)體在未來(lai)光(guang)(guang)學器件中(zhong)的(de)應用潛力(li)。
公司致力(li)于(yu)ALD高(gao)(gao)(gao)純半導體(ti)(ti)薄膜(mo)前驅體(ti)(ti)材料(liao)的自主研發和生產(chan),成立以來,已陸續向多家半導體(ti)(ti)客戶(hu)提供了百余種前驅體(ti)(ti)新材料(liao),包括高(gao)(gao)(gao)純硅基前驅體(ti)(ti)系(xi)(xi)列、High-k前驅體(ti)(ti)系(xi)(xi)列產(chan)品(pin),部分(fen)新品(pin)已被客戶(hu)用于(yu)5nm以下制程薄膜(mo)設(she)備(bei)。我們(men)致力(li)為客戶(hu)提供優質的產(chan)品(pin)并建立互信、長久的合(he)作關系(xi)(xi),產(chan)品(pin)具(ju)有自主知識產(chan)權且原材料(liao)國產(chan)化(hua),打破國外壟(long)斷(duan)的同時保證供應鏈的安(an)全。研峰科技愿與國內芯片、高(gao)(gao)(gao)端顯示、光伏新能源等高(gao)(gao)(gao)端客戶(hu)一起攜手,解決(jue)高(gao)(gao)(gao)端半導體(ti)(ti)材料(liao)的把脖子(zi)難(nan)題,早日實現進口替代。
Chemical Name | Tetrakis(Ethylmethylamido)Zirconium(Iv) TEMAZ |
---|---|
Synonym | TEMAZ 四(乙基甲基胺基)鋯(IV) 四(乙基甲基氨基)鋯(IV) Tetrakis(diethylamido)zirconium(IV) TEMAZ 四(乙基甲基氨基)鋯(IV) |
PubChem Substance ID | 4446313 |
Chemical Name Translation | 四(甲乙氨基)鋯(IV) |
MDL Number | MFCD03427131 |
CAS Number | 175923-04-3 |
LabNetwork Molecule ID | LN02144069 |
InChI | InChI=1S/4C3H8N.Zr/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4 |
WGK Germany | 3 |
---|---|
Hazard Codes | F,Xi |
Hazard statements | |
| |
Personal Protective Equipment | Eyeshields, Faceshields, full-face respirator (US), Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US), type ABEK (EN14387) respirator filter |
Precautionary statements | |
| |
Signal word | Danger |
Safety Statements | |
| |
Packing Group | II |
UN Number | UN3399 |
Risk Statements | |
| |
Storage condition | Air & Moisture Sensitive |
Restrict | 危險品 |
*以上化合物性質及應用等信息僅(jin)供(gong)參(can)考