ALD簡介
原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納米尺度上進行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。
ALD應用
ALD在能源領域應用
2009年,Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層,正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優勢,在光伏領域中發揮著重要作用。除此之外,ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層,提高電池性能。
ALD在泛半導體應用
隨著泛半導體行業的發展,對微型化和集成化要求越來越高,尺寸縮小至亞微米和納米量級,ALD作為一種高精度薄膜沉積技術,可用于晶體管柵極電介質層(高K材料)、金屬柵電極、有機發光顯示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領域。
ALD在光學領域應用
由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點,已成功應用于高質量光學薄膜、增透膜、折射率可調的光學薄膜、波狀多層膜,改善了光子晶體的光學性質和可控性,增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。
公司致力于ALD高純半導體薄膜前驅體材料的自主研發和生產,成立以來,已陸續向多家半導體客戶提供了百余種前驅體新材料,包括高純硅基前驅體系列、High-k前驅體系列產品,部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜設備。我們致力為客戶提供優質的產品并建立互信、長久的合作關系,產品具有自主知識產權且原材料國產化,打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。研峰科技愿與國內芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手,解決高端半導體材料的把脖子難題,早日實現進口替代。
Chemical Name | Dicarbonylcyclopentadienylcobalt |
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Synonym | Cobalt dicarbonyl cyclopentadiene Cobalt dicarbonyl cyclopentadiene CpCo(CO)2 Cyclopentadienylcobalt dicarbonyl Cyclopentadienyldicarbonylcobalt 羰基環戊二烯基鈷 Cobalt dicarbonyl cyclopentadiene Cyclopentadienylcobalt dicarbonyl Cyclopentadienyldicarbonylcobalt 羰基環戊二烯基鈷 CpCo(CO)2 Cyclopentadienylcobalt dicarbonyl Cyclopentadienyldicarbonylcobalt Cyclopentadienylkobaltdicarbonyl 二羰基環戊二烯基鈷 |
EC Number | 235-139-8 |
PubChem Substance ID | 24854737 |
Chemical Name Translation | 二羰基環戊二烯基鈷 |
Reaxys-RN | 14341566 |
MDL Number | MFCD00009589 |
CAS Number | 12078-25-0 |
WGK Germany | 3 |
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Hazard statements | |
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Personal Protective Equipment | Eyeshields, Faceshields, full-face respirator (US), Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US), type ABEK (EN14387) respirator filter |
Precautionary statements | |
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Signal word | Danger |
Safety Statements | |
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Packing Group | III |
UN Number | 1992 |
Risk Statements | |
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Storage condition | Air Sensitive |
Hazard Codes | 3 T |
Hazard Class | 3/6.1 |
Restrict | 危險品 |
*以上化合物性質及應用等信息僅供參考