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ALD簡介(jie)

   原子層沉(chen)積技術(shu)(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)是一種在納米尺度上進(jin)行薄膜(mo)沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面，擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應(ying)用(yong)

ALD在能源領(ling)域(yu)應(ying)用

2009年，Miyaska課(ke)題組將鈣鈦(tai)礦材料(liao)(liao)MAPbI3用作燃料(liao)(liao)敏化太陽能(neng)電池(chi)的光(guang)伏活(huo)性(xing)層，正(zheng)式開啟了鈣鈦(tai)礦太陽能(neng)電池(chi)的新(xin)紀元。ALD憑借(jie)其均勻成膜性(xing)、精準控制厚度和(he)保形性(xing)等多種優(you)勢，在光(guang)伏領域中發揮(hui)著重要作用。除此(ci)之(zhi)外，ALD技術還可用于鋰電池(chi)薄膜涂層，提高(gao)電池(chi)性(xing)能(neng)。

ALD在泛半導體應用

隨(sui)著泛(fan)半導體行業的發展，對微(wei)型化和(he)集成化要求(qiu)越(yue)來越(yue)高，尺寸縮小至亞微(wei)米和(he)納米量級(ji)，ALD作為一(yi)種(zhong)高精度薄膜沉積技術，可(ke)用于晶(jing)體管(guan)柵極(ji)電介質(zhi)層(高K材(cai)料(liao))、金屬柵電極(ji)、有機發光(guang)顯(xian)示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質(zhi)層、微流體和MEMS涂層、傳感(gan)器等眾多領域。

ALD在光(guang)學領域(yu)應用

由于 ALD 具有的(de)三維共(gong)形沉積和大面積均勻性特點(dian)，已成功應(ying)用于高質量光(guang)(guang)學(xue)薄膜、增透膜、折射率可調的(de)光(guang)(guang)學(xue)薄膜、波狀多層(ceng)膜，改善(shan)了(le)光(guang)(guang)子晶體的(de)光(guang)(guang)學(xue)性質和可控性，增加(jia)了(le)光(guang)(guang)子晶體在未來光(guang)(guang)學(xue)器件中(zhong)的(de)應(ying)用潛力。

 公(gong)司致力于ALD高(gao)純半(ban)導體(ti)薄(bo)膜前(qian)驅(qu)(qu)體(ti)材(cai)(cai)料的自主研(yan)(yan)發和(he)生產(chan)，成立以來，已陸續向(xiang)多(duo)家(jia)半(ban)導體(ti)客(ke)戶(hu)提供(gong)了百余種前(qian)驅(qu)(qu)體(ti)新材(cai)(cai)料，包括(kuo)高(gao)純硅基(ji)前(qian)驅(qu)(qu)體(ti)系列、High-k前(qian)驅(qu)(qu)體(ti)系列產(chan)品(pin)，部(bu)分新品(pin)已被客(ke)戶(hu)用(yong)于5nm以下制程(cheng)薄(bo)膜設(she)備。我們致力為客(ke)戶(hu)提供(gong)優(you)質(zhi)的產(chan)品(pin)并建(jian)立互信、長(chang)久的合作關系，產(chan)品(pin)具有自主知識產(chan)權且原材(cai)(cai)料國(guo)產(chan)化，打(da)破國(guo)外壟斷的同時(shi)保證供(gong)應鏈(lian)的安全。研(yan)(yan)峰科技愿與國(guo)內芯片、高(gao)端顯示(shi)、光伏新能源(yuan)等高(gao)端客(ke)戶(hu)一起攜手，解(jie)決高(gao)端半(ban)導體(ti)材(cai)(cai)料的把脖子難題，早日實(shi)現進口替代。